Både siliciumtransistorer og germaniumtransistorer har funktionen af strømforstærkning. Forskellen er, at dødzonespændingen for siliciumtransistorer er større end for germaniumtransistorer; tændspændingen for siliciumtransistorer er omkring 0.7V, og tændspændingen for germaniumtransistorer er omkring 0.3V;
Omvendt strøm af silicium transistorer er meget mindre end germanium transistorer; den maksimale driftstemperatur, der tillades af siliciumtransistorer, er højere end den for germaniumtransistorer; siliciumtransistorer er mere stabile end germaniumtransistorer.
